マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2プラズマを用いたシリコン酸窒化膜の低温形成
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概要
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マイクロ波励起高密度Kr/O_2/N_2混合プラズマを用いて、シリコン表面の直接酸窒化を400℃という低温で行った。Kr/O_2/N_2混合プラズマを用いて酸窒化膜を形成することにより、従来の熱酸化膜やKr/O_2プラズマを用いて形成した酸化膜よりも低いストレス誘起リーク電流(Stress-Induced Leakage Current : SILC)、高いCharge-to-Breakdown(Q_BD)値が得られた。Kr/O_2プラズマにN_2を導入することにより、Kr/O_2プラズマによる酸化膜よりも、電気的特性の向上が可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
斉藤 祐司
東北大学大学院工学研究科
-
関根 克行
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
平山 昌樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
斉藤 祐司
東北大学大学院工学研究科:(現)セイコーエプソン(株)生産技術開発本部
-
大坪 和雄
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Aharoni Herzl
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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