SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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マイクロ波励起高密度プラズマによるPECVD酸化膜、Kr/O_2/NOプラズマ酸窒化技術を組み合わせることによってゲート絶縁膜を形成した。絶縁膜中に残留カーボンの存在しないPECVD酸化膜をKr/O_2/NOプラズマ処理することで、NOラジカルにより酸化膜/SiC界面特性が改善され、低温で形成したにもかかわらず高耐圧、低界面準位密度のゲート絶縁膜が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東北大学 未来科学技術研究館
-
田中 康太郎
東北大学 工学研究科
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