シリコン(110)面の平坦化(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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Si(11O)の表面平坦化を検討した.Si(110)は、RCA洗浄後に、マイクロラフネスの増加に加え、<-110>方向への溝構造が形成されることが分かった。ラジカル酸化による犠牲酸化を行うことで、マイクロラフネスは平滑化される。またアルカリ洗浄を用いない5工程洗浄を、前処理工程に用いることで、溝構造の発生を抑えることが出来る。5工程洗浄とラジカル犠牲酸化により、原子レベルでの平坦化が実現出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-14
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
二井 啓一
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
赤堀 浩史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
赤堀 浩史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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