先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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プラズマ窒化によるSiONゲート絶縁膜形成において、高分解RBSによって校正されたAR-XPSを用いて絶縁膜中窒素濃度分布を高精度に計測し、窒素プロファイルとボロン拡散防止効果および素子特性との関係を調査した。この結果、RLSAプラズマ窒化が先端ロジックだけでなくDRAMにっいても有効なSiON絶縁膜形成技術であることを示した。また、窒化後アニール処理では、表面近傍における窒素原子の外拡散と表面酸化の両方が進行することが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-09-27
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
菅原 卓也
東京エレクトロンFE(株)PVE BUエリコンシステムFE部
-
中西 敏雄
東京エレクトロンat Spa開発技術部
-
村川 恵美
東京エレクトロン株式会社
-
竹内 政志
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
-
本田 稔
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
-
石塚 修一
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
-
廣田 良浩
東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部
-
田中 義嗣
東京エレクトロン株式会社
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
-
村川 恵美
東京エレクトロン株式会社:東北大学工学研究科技術社会システム
-
田中 義嗣
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
-
菅原 卓也
東京エレクトロン株式会社
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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