横型オーバーフロー蓄積容量を用いた広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサの暗電流耐性とオーバーフロー特性

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概要

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著者

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 足立 理

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

• 盛 一也

  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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