多重電圧・電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ(イメージセンサ,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
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概要
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画素・列容量値,各動作の蓄積時間,多重露光回数を最適に設計することで,超広ダイナミックレンジ,高S/N,高フレームレートを同時に実現する最適設計論に基づき,0.18μm 2P3M CMOSプロセスを用いた,光学フォーマット1/3インチ,画素サイズ5.6μm角,有効画素数800^H×600^VのカラーCMOSイメージセンサを設計・試作し,横型オーバーフロー蓄積を用いた電圧読み出し動作に多重露光を組み合わせ,さらに,列容量を用いた電流読み出し動作を合わせて行うことで,ダイナミックレンジ207dB,全動作切替え点でグレー18%においてS/N26dB,トータルフレームレート1/13secを実現した.
- 2008-10-15
著者
-
赤羽 奈々
東北大学 大学院 工学研究科
-
井出 典子
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
井出 典子
東北大学大学院工学研究科
-
赤羽 奈々
東北大学大学院工学研究科
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