井上 真雄 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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井上 真雄
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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大野 吉和
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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白藤 純嗣
大阪大学工学部電気工学科
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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河瀬 和雅
三菱電機先端総研
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寺本 章伸
三菱電機(株)
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梅田 浩司
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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樋口 正顕
株式会社東芝
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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黒川 博志
三菱電機先端総研
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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白藤 純嗣
大阪大学工学部
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井上 真雄
大阪大学工学部電気工学科
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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小林 淳二
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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小村 政則
東北大学工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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丸山 祥輝
(株)ルネサステクノロジ
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小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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谷村 純二
三菱電機(株)先端総研
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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若尾 和年
三菱電機ULSI技術開発センター
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谷村 純二
三菱電機先端総研
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井上 真雄
三菱電機ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
三菱電機ULSI技術開発センター
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児島 雅之
(株)ルネサステクノロジ
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谷村 純二
三菱電機先端技術総合研究所
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藤原 啓司
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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武島 豊
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジプロセス開発部
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上原 廉
三菱電機先端総研
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丸山 祥輝
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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高橋 貫治
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング(株)
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堀江 靖彦
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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金岡 竜範
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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原 英司
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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西本 章
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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重富 晃
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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小林 淳二
三菱電機(株)
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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島田 章宏
大阪大学大学院工学研究科電気工学
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井上 真雄
大阪大学大学院工学研究科電気工学
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白藤 純嗣
大阪大学大学院工学研究科電気工学
-
井上 真雄
大阪大学基礎工学部電気工学科
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白藤 純嗣
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
上原 廉
三菱電機 先端技総研
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
- ゲート酸化膜の電気的特性に対する有機物汚染の影響
- ゲート酸化膜の破壊メカニズム
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- シリコンM0Sキャパシタの界面準位生成に対する酸化膜電圧およびその極性依存性
- F-Nトンネル電流ストレスによる(100)Si/SiO_2界面準位の生成機構とその特性
- FN注入によるMOSダイオードの劣化とa.c.コンダクタンス測定
- SiO_2薄膜の絶縁劣化とコンダクタンスの関連