ゲート酸化膜の電気的特性に対する有機物汚染の影響
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概要
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Si基板に付着した有機物がゲート酸化膜の電気的特性に及ぼす影響を調べた。酸化前洗浄後に付着したフタル酸エステル(DOP)やnブチルベンゼンスルホンアミド(NBBA)はゲート酸化膜寿命の劣化を引き起こす。その影響は付着するSi基板表面の状態によって異なり、疎水性表面ではゲート酸化膜の初期不良が増加する一方、親水性表面では酸化膜寿命の劣化は見られない。異なる前洗浄および酸化温度における結果から、有機物汚染からゲート酸化膜寿命の劣化に至るまでのプロセスについて議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-09
著者
-
小林 淳二
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
-
大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
寺本 章伸
三菱電機(株)
-
井上 真雄
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
大野 吉和
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
高橋 貫治
菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング(株)
-
堀江 靖彦
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
金岡 竜範
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
原 英司
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
小林 淳二
三菱電機(株)
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