熱酸化膜のTDDB特性における面積及び膜厚依存性
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概要
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6.8nmと8.7nmの熱酸化膜について、摩耗故障領域におけるTDDB特性の面積依存性を評価した。その結果、摩耗故障領域における故障寿命にも面積依存性が存在し、面積が大きくなるとともに酸化膜の経時絶縁破壊時間(T_BD>)および、経時絶縁破壊電荷量(Q_BD>)は小さくなることがわかった。この現象は、摩耗故障領域での酸化膜の破壊について、面内に一様に分布するLocalizedWeak Oxide Areaで破壊で発生していると考えることによって説明できる。Localized Weak Oxide Areaの密度は、ストレス時間の増加とともに増加する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
-
小林 清輝
三菱電機(株)ulsi開発研究所評価解析センターlsiプロセス開発第二部
-
平山 誠
三菱電機ulsi開発研究所
-
寺本 章伸
三菱電機(株)
-
寺本 章伸
三菱電機ULSI開発研究所
-
小林 清輝
三菱電機ULSI開発研究所
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