Ba_xSr_<1-x>TiO_3薄膜のデバイス応用

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概要

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ULSIの技術開発は相変らず凄まじい勢いで行なわれており、現在開発の主流は64MDRAMから256M DRAMにシフトしつつある。DRAMのメモリセル構造は時代とともに移り変わっており、その結果、現在の64M DRAMのメモリセル構造は厚膜スタック、円筒スタック、トレンチ、フィンと多岐に渡っている。著者らは次世代のメモリセル構造としてBa_xSr_<1-x>TiO_3(以下BSTと略)等の比誘電率の大きいペロブスカイト型複合酸化物を誘電体に用いた単純スタック構造を提唱してきた。この構造は、周辺回路との絶対段差の低減や工程数の削減が期待できる半面、従来構造との差異が非常に大きく(図1)、全く新規な技術開発が必要となる部分がある。本報では、これら技術開発の現状と今後の見通しについて報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

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