伊藤 博巳 | 三菱電機(株)

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• 伊藤 博巳

  三菱電機(株)

• 柏原 慶一朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 常峰 美和

  三菱電機(株)

• 奥平 智仁

  (株)ルネサステクノロジ

• 油谷 明栄

  三菱電機 Ulsi技開セ

• 藤田 靖

  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング

• 藤田 靖

  菱電セミコンダクターエンジニアリング

• 奥平 智仁

  三菱電機(株)

• 油谷 明栄

  三菱電機(株)

• 柏原 慶一朗

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

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  三菱電機 Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 伊藤 博巳

  三菱電機 Ulsi開発研究所

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  三菱電機 ULSI開発研究所

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• 伊藤 博巳

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• 犬石 昌秀

  三菱電機 Ulsi技開セ

• 常峰 美和

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  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

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著作論文

• BSTキャパシタにおける成膜時及びポスト処理時酸化性の影響
• BSTキャパシタに対するポストアニールの影響
• 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
• 酸素のその場ドーピングを行った白金電極上にスパッタ法で形成したBST薄膜キャパシタの電気的特性
• ペロブスカイト誘電体キャパシタのDRAM集積化技術
• 次世代DRAM用ペロブスカイト誘電体キャパシター (特集 半導体製造プロセス用ケミカルスの新展開(Part1))
• Ba_xSr_TiO_3薄膜のデバイス応用
• 酸素のその場ドーピングを行った白金電極上にスパッタ法で形成したBST薄膜キャパシタの電気的特性
• 光応用技術 : 光を励起源とする成膜技術 : 半導体工業における機械的基盤技術

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