CVD-TiN/Tiバリアメタルのコンタクトプラグプロセスへの応用

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概要

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• TiCl_4-NH_3系熱CVD法を用いてTiN膜の成膜を行い, コンタクト・プラグ・プロセスに適用した. Wプラグ及びAlプラグに適用し, Si基板上, Coシリサイド上ともに良好なバリア特性を示すことが分かった. また, TiCl_4-H_2-Ar系プラズマCVD法によりTi膜の成膜も試み, 評価を行った. CVD-TiNスパッタTiの組み合わせより, CVD-TiN/CVD-Tiとの組み合わせの方がSi基板とのコンタクト抵抗に関して良好な結果が得られた. Coサリサイド上のコンタクト特性についてもCVD-TiN/CVD-Tiは良好な結果が得られた. また, サリサイド上のコンタクト特性はプラグ自体の抵抗値が無視できない影響を及ぼしてくることが分かった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-01-24

著者

• 大崎 明彦

  三菱電機ulsi開発研究所

• 平山 誠

  三菱電機 ULSI開発研究所

• 広瀬 幸範

  三菱電機ulsi開発研究所

• 前川 和義

  ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 益子 洋治

  ルネサステクノロジー(株) 生産技術本部 ウエハプロセス技術統括部

• 益子 洋治

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センタープロセス評価技術部

• 前川 和義

  ルネサス テクノロジ

• 平山 誠

  三菱電機ulsi開発研究所

• 森 健壹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 森 健壹

  三菱電機ULSI開発研究所

• 前川 和義

  三菱電機ULSI開発研究所

• 益子 洋治

  三菱電機ULSI開発研究所

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