Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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プロセスの微細化が進むにしたがって、配線抵抗がデバイスの性能に与える影響は大きくなる.我々は、低抵抗かつ高信頼なCu配線を形成することを目的として、Ti系合金による薄膜自己形成バリアプロセスを45nmノードのデュアルダマシンCu配線に初めて適用し、電気特性と信頼性(SIV,TDDB)を評価した.断面TEM、EDX分析により、Cuと絶縁膜界面に厚さ約2nmの薄膜バリアが形成されていることを確認した.従来のTa/TaNバリアを用いた場合と比べて比べて、Ti系合金による自己形成バリアでは、細幅配線抵抗とビア抵抗がそれぞれ2/3、1/3と大幅に低減することができる.SIV耐性も著しく向上する.このように、Ti系合金による自己形成バリア技術は、次世代Cu配線形成技術として有望な技術である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-29
著者
-
浅井 孝祐
(株)ルネサステクノロジ
-
前川 和義
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
浅井 考祐
(株)ルネサステクノロジ
-
前川 和義
株式会社ルネサステクノロジ
-
森 健壹
株式会社ルネサステクノロジ
-
伊藤 和博
京大工
-
伊藤 和博
Department Of Materials Science And Engineering Kyoto University
-
宮武 浩
株式会社ルネサステクノロジ
-
大森 和幸
株式会社ルネサステクノロジ
-
小濱 和之
京都大学大学院工学研究科
-
伊藤 和博
京都大学大学院工学研究科
-
大西 隆
株式会社神戸製鋼所技術開発本部
-
水野 雅夫
株式会社神戸製鋼所技術開発本部
-
浅井 孝祐
株式会社ルネサステクノロジ
-
村上 正紀
学校法人立命館
-
村上 正紀
The Ritsumeikan Trust
-
守山 実希
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
-
大西 隆
株式会社神戸製鋼所 技術開発本部
-
水野 雅夫
株式会社神戸製鋼所 技術開発本部
-
小濱 和之
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻
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