CuAl合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
90nmノードデュアルダマシン構造のCu配線プロセスにCuAl合金シードを適用することにより、大幅なビア抵抗の上昇なしに、SIV(Stress Induced Voiding)やエレクトロマイグレーション耐性を改善することを確認した.Cuに微量のAlを添加することにより、Cu配線中のCu原子や空孔の移動を抑制していると推測される.CuAl合金シードの適用は、65nmノード以降のCu配線の信頼性改善に有効な手法の一つである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-24
著者
-
米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
小林 清輝
東海大学
-
前川 和義
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
前川 和義
株式会社ルネサステクノロジ
-
森 健壹
株式会社ルネサステクノロジ
-
小林 清輝
株式会社ルネサステクノロジ
-
米田 昌弘
株式会社ルネサステクノロジ
-
Kumar Niranjan
Applied Materials, Inc.
-
Chu Schubert
Applied Materials, Inc.
-
Chen Samuel
Applied Materials, Inc.
-
Lai Gigi
Applied Materials, Inc.
-
Diehl Daniel
アプライドマテリアルズジャパン
-
Lai Gigi
Applied Materials Inc.
-
Chen Samuel
Applied Materials Inc.
-
Chu Schubert
Applied Materials Inc.
-
Kumar Niranjan
Applied Materials Inc.
関連論文
- B_H_注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術)
- 飛行時間型二次イオン質量分析によるNi_2Si-NiSi相変化の解析
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- CuAl合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
- CVD-TiN/Tiバリアメタルのコンタクトプラグプロセスへの応用
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性(配線・実装技術と関連材料技術)
- Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性(配線・実装技術と関連材料技術)