B_<18>H_<22>注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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B_<18>H_<22>注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにおいて、SDE注入を従来のBF_2からB_<18>H_xに置き換えることが可能であることがわかった。さらにミリ秒アニール単独の条件ではシート抵抗、接合深さ、接合リーク電流の観点からB_<18>H_x注入がB注入、BF_2注入およびGe-PAIをともなうB注入の条件と比べて有利であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-02
著者
-
黒井 隆
(株)ルネサステクノロジ
-
川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
-
遠藤 誠一
(株)ルネサステクノロジ
-
北澤 雅史
(株)ルネサステクノロジ
-
丸山 祥輝
(株)ルネサステクノロジ
-
山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
-
吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
-
米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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