Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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hp65-SoCのLOP向けにSiNベースの高窒素濃度のSiONゲート絶縁膜(OI-SiN)を開発した.従来のプラズマ窒化SiONに対してnMOSのパフォーマンスで優位性を示す.また,pMOSのNBTI信頼性確保のために,ゲートpoly Si電極へのF注入によってpMOSのゲート絶縁膜を選択的に増膜させるdual-core-SiON技術を開発した.この技術はOI-SiNと非常に良くマッチし,そのNBTI信頼性をプラズマ窒化SiON並みにまで向上させた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-19
著者
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ
-
梅田 浩司
ULSI技術開発センター
-
吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
-
米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
由上 二郎
ルネサス テクノロジ
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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