半導体製造プロセスにおけるCu汚染によるデバイス信頼性劣化とそのメカニズム
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概要
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Cuは高速デバイスにおける配線材料そのものであり、Cu汚染がデバイス信頼性に及ぼす影響を正しく把握することは非常に重要である。本報告では、Si,SiO_2系における、高温および低温熱処理でのCuの熱拡散挙動を解析することにより、Cu汚染と拡散熱処理後に、ウェーハ表面近傍にCuがどのように分布するかを明確にした。このCu分布を考慮することにより、Cu汚染によるデバイス信頼性劣化のメカニズムを明かにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-21
著者
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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朴澤 一幸
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究部
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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朴澤 一幸
(株)日立製作所中央研究所
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