米田 昌弘 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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黒井 隆
(株)ルネサステクノロジ
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遠藤 誠一
(株)ルネサステクノロジ
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北澤 雅史
(株)ルネサステクノロジ
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丸山 祥輝
(株)ルネサステクノロジ
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小林 清輝
東海大学
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前川 和義
ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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藤原 啓司
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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武島 豊
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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前川 和義
株式会社ルネサステクノロジ
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森 健壹
株式会社ルネサステクノロジ
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小林 清輝
株式会社ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
株式会社ルネサステクノロジ
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Kumar Niranjan
Applied Materials, Inc.
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Chu Schubert
Applied Materials, Inc.
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Chen Samuel
Applied Materials, Inc.
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Lai Gigi
Applied Materials, Inc.
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Diehl Daniel
アプライドマテリアルズジャパン
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Lai Gigi
Applied Materials Inc.
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Chen Samuel
Applied Materials Inc.
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Chu Schubert
Applied Materials Inc.
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Kumar Niranjan
Applied Materials Inc.
著作論文
- B_H_注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- CuAl合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))