土本 淳一 | ルネサス テクノロジ
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概要
関連著者
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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上原 康
三菱電機(株)材料デバイス研究所
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
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児島 雅之
(株)ルネサステクノロジ
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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藤原 啓司
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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土本 淳一
ルネサステクノロジ(株)プロセス開発部
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上原 康
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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上原 康
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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上原 康
三菱電機(株)
著作論文
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))