シリコンへのリンとボロンの同時注入によるリンの拡散の抑制
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概要
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シリコンにリンとボロンを二重イオン注入した後、950℃で30〜300分間熱処理すると、リンはボロンと複合体を形成し、リンは電気的に不活性化し、かつりンの拡散は抑制された。電気的活性化と拡散の抑制は、一緒に注入されたボロンの量とリンイオンの注入分布に対してボロンイオンの注入分布の位置に依存した。すなわち、リン原子の活性化と拡散の抑制の効果は、リンとボロンのイオンの注入分布が重なっている場合と、リンよりボロンの注入分布が深い位置にある場合に顕著であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
熊谷 正夫
神奈川高度技術支援財団
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
志賀 克哉
関西大・工
-
横田 勝弘
関西大・工
-
安藤 靖典
日新電機
-
松田 耕自
日新電機
-
渡辺 正則
イオン工学センター
-
高木 俊宜
イオン工学センター
-
高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
-
高木 俊宜
(株)イオン工学研究所
-
松田 耕自
日新電機(株)
-
熊谷 正夫
神奈川産技セ
-
高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
-
熊谷 正夫
神奈川産総研
-
渡辺 正則
イオン工学研
-
渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
-
横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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