OME2000-55 有機薄膜光電子増倍素子のS/N比の検討
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概要
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有機薄膜光電子増倍素子に於いて、S/N比が低下する主要因はその増倍メカニズムと密接な関係があり、Me-PTCを用いた増倍素子の場合、光照射時にMe-PTCと金属電極との界面に堆積して増倍効果を生じた電荷が、光照射後にも残留して暗電流を増大し、S/N比を低下させていることを明らかにした。この残留電荷を、電圧パルスを印加することによって10ms以内で80%以上除去しS/N比を向上する技術を開発した。残留電荷除去の主要なメカニズムは、パルス電流のジュール加熱によるトラップからの熱脱離によると考えられる。この技術によって、光電子増倍素子の書込・消去制御が実現できるほか、記憶、演算などの潜在機能を活用した新しいタイプのインテリジェント光センサーの出現が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
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