水素ECRプラズマ処理による砒素注入されたシリコンの浅いN形層の形成
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概要
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p型シリコンに40keVで5×10^<15>cm^<-2>で砒素イオンを注入したのち,950℃で30分間熱処理をした.この試料を直径60mmの石英管に挿入し2Torrの圧力で水素ガスを100cc/min流しマイクロ波を640W投入して,発生させた水素プラズマ中で5分間処理をした.このシリコン中の砒素の分布は水素プラズマ前後で変化しなかった.しかし,砒素拡散フロント付近では砒素の電気的活性化が抑制されN形層が浅くなった.また,シリコン表面付近では砒素クラスターの一部が分解されて砒素の電気的活性化率が高くなった.
- 1996-12-06
著者
-
熊谷 正夫
神奈川高度技術支援財団
-
横田 勝弘
関西大・工
-
渡辺 正則
イオン工学センター
-
高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
-
平井 清人
神奈川高度技術支援財団
-
細川 浩一
関西大・工
-
熊谷 正夫
神奈川産技セ
-
高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
-
寺田 耕一郎
関西大学工学部・HRC
-
寺田 耕一郎
関西大・工
-
高木 俊宣
イオン工学センター
-
熊谷 正夫
神奈川産総研
-
渡辺 正則
イオン工学研
-
渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
-
横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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