電子線照射下におけるGaAs薄膜の分子線エピタキシャル成長
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概要
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薄膜を基板上に成長させる場合, 成長温度が高いと基板内の不純物の薄膜中への拡散や薄膜と基板の熱膨張率の差による応力の発生などが生します。したがって, できるだけ低い温度で薄膜を成長させることが必要となります。しかし, 成長温度が低くなると薄膜構成元素の成長表面での移動速度が減少し, 薄膜の結晶性が劣化します。本実験は, GaAs薄膜の成長温度の低温化を計るために, GaAs薄膜の分子線エピタキシャル(MBE)成長時に電子線照射を行い, その効果を調べたものです。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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