横田 勝弘 | 関西大学工学部
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概要
関連著者
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横田 勝弘
関西大学工学部
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横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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片山 佐一
関西大学工学部
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田村 進
関西大学工学部
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中村 和広
関西大学工学部
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中村 和広
関西大学工学部専任講師
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片山 佐一
関西大・工
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丹上 正安
日新電機
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高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
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高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
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熊谷 正夫
神奈川高度技術支援財団
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松田 耕自
日新電機
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酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
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松田 耕自
日新電機(株)
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熊谷 正夫
神奈川産技セ
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西村 英敏
関西大学工学部・HRC
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寺田 耕一郎
関西大学工学部・HRC
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酒井 滋樹
日新電機
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熊谷 正夫
神奈川産総研
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刈谷 哲也
高知大学・理
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横田 成昭
関西大学工学部
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刈谷 哲也
高知大学文理学部
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寺田 隆
関西大学工学部
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渡辺 正則
イオン工学センター
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平井 清人
神奈川高度技術支援財団
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赤松 勝也
関西大学
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赤松 勝也
関西大学工学部
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田村 進
関西大学工学部電子工学科
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中村 和広
関西大学ハイテクリサーチセンター
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清水 博文
関西大学工学部電子工学科
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中瀬 周作
関西大学工学部
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永 浩介
関西大学工学部
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渡辺 正則
イオン工学研
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渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
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赤松 勝也
関西大学化学生命工学部
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小田 耕治
関西大学工学部
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松田 耕治
日新電機
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岡本 陽一
関西大学工学部
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安東 靖典
日新電機
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関根 耕平
イオン工学センター
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甲斐 秀樹
関西大学工学部電子工学科
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片山 佐一
関西大学工学部電子工学科
著作論文
- 電子線照射下におけるGaAs薄膜の分子線エピタキシャル成長
- シリコンの分子線エピタキシー(MBE)プロセスにおける基板のサーマルクリーニング温度の低温化
- ジボランとアルシンのイオン注入によるシリコンへの浅いp形とn形層の形成
- 水素稀釈したジボランイオンシャワー注入されたシリコン中の欠陥分布
- ステンレス表面の硬化 (産学連携への掛け橋)
- シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響
- ジボランイオン注入によってシリコンに添加されたボロンの活性化
- イオンビーム法でGaAs基板上に成長させたGaAs薄膜のホトルミネッセンス
- イオンビーム法によるGaAs, 石英, ガラス基板上へのZnSe薄膜の成長
- イオンビーム法による絶縁基板上へのGa As薄膜の成長
- シリコンにひ素とボロンを同時イオン注入法によるひ素の電気的活性化率と拡散の抑制
- イオンビーム法で作製したZnとTe混合膜からのZnTeの固相成長
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : IX. 電気伝導とホール定数の温度特性 : 半導体 : 輸送
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : VIII. 熱起電力係数と熱伝導度の温度変化 : 半導体 : 輸送