片山 佐一 | 関西大学工学部
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概要
関連著者
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片山 佐一
関西大学工学部
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横田 勝弘
関西大学工学部
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片山 佐一
関西大・工
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田村 進
関西大学工学部
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横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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刈谷 哲也
高知大学・理
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刈谷 哲也
高知大学文理学部
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金 景勲
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金 景勲
関西大学工学部
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横田 成昭
関西大学工学部
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浜川 圭弘
大阪大学基礎工学部
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田村 進
関西大学工学部電子工学科
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甲斐 秀樹
関西大学工学部電子工学科
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金 景勲
関西大学工学部電子工学教室
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片山 佐一
関西大学工学部電子工学科
著作論文
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : VII. 焼きなまし後のX線的考察 : 半導体 : 輸送
- イオンビーム法でGaAs基板上に成長させたGaAs薄膜のホトルミネッセンス
- イオンビーム法によるGaAs, 石英, ガラス基板上へのZnSe薄膜の成長
- イオンビーム法による絶縁基板上へのGa As薄膜の成長
- (Bi1-xSbx)2(Te1-ySey)3系のけい光X線分析
- イオンビーム法で作製したZnとTe混合膜からのZnTeの固相成長
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : IX. 電気伝導とホール定数の温度特性 : 半導体 : 輸送
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : VIII. 熱起電力係数と熱伝導度の温度変化 : 半導体 : 輸送
- ゲルマニウム基板上のリン化ガリウム層のけい光X線分析