イオンビーム法でGaAs基板上に成長させたGaAs薄膜のホトルミネッセンス
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概要
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Thin GaAs films were grown epitaxially on Cr doped (100) GaAs wafers by an ion beam deposition technique. Maine missions of the GaAs films prepared with equal As with Ga ion beam currents at a substrate temperature of 550°C were large emissions due to recombination of bound excitons and electron transitions between the conduction band and carbon acceptors. The intensities of these emissions were small on the GaAs films prepared with other preparation conditions. Emissions due to defects caused by the As excess in GaAs were observed on the GaAs films prepared with the As larger than the Ga ion beam currents.
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