熱電物質 (Bi_<1-x>Sb_x)_2Te_<1.8>Se_<1.2>とBi_<1.2>Sb_<0.8> (Te_<1-y>Se_y)_3の結合間隔とデバイの温度因数 : 半導体 (化合物, その他)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 片山 佐一

  関大工

• 片山 佐一

  関西大・工

• 金景 勲

  関大工

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