熱電物質(Bi_<1-x>Sb_x)_2Te_<2.1>Se_<0.9>とBi_<1.4>Sb_6lt;0.6>(Te_<1-y>Se_y)_3の結合間隔とデバイの温度因数 : 半導体(化合物・音波)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1968-10-13

著者

• 片山 佐一

  関大工

• 片山 佐一

  関西大・工

• 金景 勲

  関大工

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