片山 佐一 | 関西大・工
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概要
関連著者
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片山 佐一
関西大・工
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片山 佐一
関大工
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片山 佐一
関西大学工学部
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横田 勝弘
関大工
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横田 勝弘
関西大学工学部
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田村 進
関西大 工
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金 景勲
関大工
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田村 進
関西大学工学部
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横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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刈谷 哲也
高知大学・理
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吉田 忠義
関大工
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金景 勲
関大工
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横田 成昭
関西大学工学部
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刈谷 哲也
高知大学文理学部
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金 景勲
関西大学工学部
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本田 眞二
関大工
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関西大工
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吉田 忠義
関西大工
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片山 佐一
関西大工
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刈谷 哲也
高知大・文理
著作論文
- イオンビ-ム法でGaAs基板上に成長させたGaAs薄膜のホトルミネッセンス
- イオンビ-ム法によるGaAs,石英,ガラス基板上へのZnSe薄膜の成長
- イオンビ-ム法による絶縁基板上へのGaAs薄膜の成長
- グロ-放電法で成長させた水素化アモルファスシリコンの室温における酸化と応力の緩和の構造
- 薄膜成長におけるイオン照射の効果
- 太陽電池材料,アモルファスシリコンの室温における酸化の問題
- 太陽電池材料の熱的安定性とその対策
- 12p-K-17 熱電物質(B_Sbx)_2(Te_Sey)_3XVII(Bi_Sb_)_2(Te_Sey)_3と(B_Sbx)_2(Te_Se_)_3の結晶構造の原子パラメーターと温度因子
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_x)_3XII 結晶構造の原子パラメーターと温度因子 : 半導体 : 不安定,輸送
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : VII. 焼きなまし後のX線的考察 : 半導体 : 輸送
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : VI. 焼鈍効果 : 半導体 : 輸送
- 12p-K-16 熱電物質(B_Sb_x)_2Te_Se_の100°K〜300°Kにおける熱電能(α)と熱伝導度(K)(XIV)
- 熱電物貭(Bi_Sb_x)_2・Te_3の100°K〜300°Kに於ける熱電能αと熱伝導度K(XI) : 半導体 : 不安定,輸送
- 可視発光シリコン
- X線分析の最近の進歩
- アモルファスシリコン太陽電池 ("稀薄エネルギ-の利用に関する研究"中間報告集)
- 3p-TC-7 単結晶Bi_2Se_3の電気的特性
- 熱電物質 (Bi_Sb_x)_2Te_Se_の100〜300゜Kに於ける熱的, 電気的特性 : 半導体 (化合物, その他)
- 熱電物質 (Bi_Sb_x)_2Te_Se_とBi_Sb_ (Te_Se_y)_3の結合間隔とデバイの温度因数 : 半導体 (化合物, その他)
- 熱電物質Bi_2Te_3の熱的, 電気的特性 : 半導体 (化合物, その他)
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2Te_Se_とBi_Sb_6lt;0.6>(Te_Se_y)_3の結合間隔とデバイの温度因数 : 半導体(化合物・音波)
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2Te_Se_の100〜300°Kに於ける熱的、電気的特性 : 半導体(化合物・音波)
- イオンビーム法でGaAs基板上に成長させたGaAs薄膜のホトルミネッセンス
- イオンビーム法によるGaAs, 石英, ガラス基板上へのZnSe薄膜の成長
- イオンビーム法による絶縁基板上へのGa As薄膜の成長
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : IX. 電気伝導とホール定数の温度特性 : 半導体 : 輸送
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : VIII. 熱起電力係数と熱伝導度の温度変化 : 半導体 : 輸送
- HARMAN法による熱電半導体の測定 : 測定技術