ジボランとアルシンのイオン注入によるシリコンへの浅いp形とn形層の形成
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概要
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水素で希釈したジボランあるいはアルシンをソースとして非質量分離型のイオン注入器を使用して、シリコンにイオン注入し、700〜900℃の温度で熱処理した。シリコン中に導入された注入格子欠陥に基ずくボロンとひ素の増速拡散は、同時に注入された水素と不純物との相互作用で抑制され、浅いp形とn形シリコン層が形成された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
中村 和広
関西大学工学部
-
横田 勝弘
関西大学工学部
-
松田 耕自
日新電機
-
松田 耕自
日新電機(株)
-
中村 和広
関西大学工学部専任講師
-
中瀬 周作
関西大学工学部
-
丹上 正安
日新電機
-
高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
-
横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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