水素稀釈したジボランイオンシャワー注入されたシリコン中の欠陥分布
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概要
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非質量分離型のイオン注入器を使って、シリコンにジボランと水素を同時にイオン注入した。ボロンの注入分布は、シリコン中での水素との衝突でイオンの進行方向に約20%広がった。熱処理中、水素がボロンの拡散フロント付近に集まり、ボロンの拡散を抑制した。熱処理温度から室温への冷却過程で、水素は拡散フロント付近に高い密度で欠陥を作りボロンの活性化を抑制した。ボロンの拡散と活性化の抑制は同時に注入する水素量とともに顕著になった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
中村 和広
関西大学工学部
-
横田 勝弘
関西大学工学部
-
松田 耕自
日新電機
-
高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
-
松田 耕自
日新電機(株)
-
中村 和広
関西大学工学部専任講師
-
丹上 正安
日新電機
-
高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
-
永 浩介
関西大学工学部
-
横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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