浜川 圭弘 | 大阪大学基礎工学部
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概要
関連著者
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浜川 圭弘
大阪大学基礎工学部
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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浜川 圭弘
大阪大学 基礎工学部
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学部電気工学科
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奥山 雅則
阪大基礎工
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奥山 雅則
大阪大学 基礎工学研究科
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奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
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岡元 謙次
(株)富士通厚木研究所表示デバイスー研
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奥山 雅則
大阪大学 大学院基礎工学研究科
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岡本 博明
大阪大学基礎工学部電気工学科
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浅野 純一
大阪大学基礎工学部電気工学科
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高倉 秀行
立命館大学理工学部電子光情報工学科
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岡本 博明
大阪大学基礎工学部
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岡本 博明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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金島 岳
大阪大学基礎工学研究科
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藤本 晶
和歌山工業高等専門学校
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奥山 雅則
大阪大学
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山下 馨
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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濱川 圭弘
大阪大学
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大西 秀臣
愛媛大学工学部
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高倉 秀行
富山県立大学工学部電子情報工学科
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岡本 博明
阪大基礎工
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金島 岳
大阪大学
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藤本 晶
和歌山工高専
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呉 文彪
大阪大学
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大石 嘉弘
大阪大学
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那須 安宏
富士通
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山下 馨
大阪大学基礎工学研究科
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藤原 康文
名大工
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深尾 隆三
大阪大学基礎工学部:日立マクセル(株)技術研究所
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山本 敏雅
大阪大学基礎工学部
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濱川 圭弘
立命館大学大学院
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岩崎 慎也
大阪大学基礎工学部電気工学科
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浜川 圭弘
大阪大学
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馬 〓
大阪大学基礎工学部電気工学科
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服部 公則
大阪大学基礎工学部電気工学科
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芳野 洋文
愛媛大
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芳野 洋文
愛媛大学工学部
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大工 博之
日立造船株式会社
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片山 佐一
関西大学工学部
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佐久間 尚志
(株)東芝研究開発センター ULSI研究所
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濱川 圭弘
立命館大学
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木村 貴之
大阪大学
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木村 一貴
立命館大学
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山下 馨
大阪府SEISプロジェクト
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長島 哲也
大阪府SEISプロジェクト
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濱川 圭弘
大阪府SEISプロジェクト
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奥山 雅則
大阪府SEISプロジェクト
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山下 馨
大阪大学 基礎工学部
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松室 好則
大阪大学
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今井 崇明
大阪大学基礎工学部電気工学科
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栗岡 善昭
大阪大学基礎工学部電気工学科
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奥村 勝英
大阪大学基礎工学部電気工学科
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大石 嘉弘
大阪大学 基礎工学部 電気工学科
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呉 文彪
大阪大学 基礎工学部 電気工学科
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麓 圭吾
大阪大学 基礎工学部 電気工学科
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浅野 純一
大阪大学 基礎工学部 電気工李科
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勝見 栄雄
大阪大学基礎工学部電気工学科
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大谷 浩三
大阪大学基礎工学部
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刈谷 哲也
高知大学・理
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若林 良昌
大阪大学基礎工学部
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松室 好則
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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佐藤 精威
(株)富士通厚木研究所表示デバイスー研
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三浦 照信
(株)富士通厚木研究所表示デバイスー研
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安藤 倭士
(株)富士通厚木研究所表示デバイスー研
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三浦 照信
株式会社富士通研究所
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岡元 謙次
大阪大
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那須 安宏
大阪大
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安藤 倭士
株式会社富士通研究所厚木研究所
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佐久間 尚志
愛媛大学工学部
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家安 健三
愛媛大学工学部
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岡元 謙次
株式会社富士通研究所
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佐藤 精威
株式会社富士通研究所
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岡元 謙次
大阪大学基礎工学部電気工学科
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那須 安宏
大阪大学基礎工学部電気工学科
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前畑 英彦
日立造船(株) 技術研究所
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浜川 圭弘
大阪大
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服部 公則
大阪大学基礎工学部
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刈谷 哲也
高知大学文理学部
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津下 和永
大阪大学基礎工学部
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太和田 善久
大阪大学基礎工学部
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近藤 正隆
大阪大学基礎工学部
著作論文
- アモルファスシリコン//多結晶シリコンタンデム太陽電池
- a-Si量子井戸中のサブバンド間光学遷移の観測
- Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価
- フォトルミネッセンス法によるGaAs中の遷移金属の評価
- レファレンス太陽電池方式における出力測定誤差分析法 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- 各種測定光源下におけるシリコン太陽電池の出力電流と測定誤差の計算解析 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- バルク結晶時代から多層化薄膜時代へ (1990年の化学-4-)
- 太陽光発電技術の最近の進歩-2-
- アモルファス半導体の電子物性 (アモルファス材料)
- 蛍光・偏光・波長変調を用いた差分撮像
- 微分スペクトルイメージングにおける波長可変干渉フィルタの制御性向上による特性改善
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出
- 強誘電体PZTセラミックからの電界電子放出
- フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
- 29p-N-2 鉛含有ペロブスカイト薄膜の作製と評価
- 強誘電体メモリ
- 機能性強誘電体薄膜とその応用
- 透明強誘電体薄膜とその電子デバイスへの応用 (1989年の化学-4-)
- 超音波センサ (センサ技術特集)
- C-5 Si基板上に作製したPbTiO_3薄膜マイクロ超音波センサ(超音波の発生・検出)
- アモルファスシリコンX線センサの試作
- チューナブルカラーEL素子( 平面型ディスプレイ技術)
- センシング応用技術とその展望 (センサ技術特集)
- 太陽光発電の現状と将来
- 応用--アモルファス半導体デバイスの現状と将来 (アモルファス半導体と新材料)
- アモルファスシリコン太陽電池の高効率化 (脱化石燃料と材料技術)
- グラフォエピタキシーの原理と最近の進歩
- 6)低電圧駆動交流薄膜EL素子とその多色化(画像表示研究会(第57回))
- アモルファス半導体技術の最近の進歩 (多様なアモルファス材料の展開-2-)
- 無重力下におけるアモルファス半導体の製造 (マイクログラビティ-と材料)
- 情報化時代とインテリジェントセンサの役割 (新時代へのフィ-ルドセンサと伝送) -- (トレンド--フィ-ルドセンサのオ-プンシステム化)
- タンデム型低コスト太陽電池の開発--光電変換効率21%を達成
- 4p-D-9 a-Si:Hデバイス応用の最近の進歩
- 3-2 低閾電圧緑色発光薄膜直流エレクトロルミネッセンス素子(3.ELディスプレイ)(JAPAN DISPLAY'83記念特集)
- 3-1 高輝度・高効率緑色EL素子(3.ELディスプレイ)(JAPAN DISPLAY'83記念特集)
- 電子材料 : とくに半導体材料とその機能デバイスの最近の進歩("材料はどこまで進むか"-極限状態と高性能,新機能への挑戦-)
- 低電圧駆動交流薄膜EL素子とその多色化
- 半導体の応用(その2) : 光センサ
- ELディスプレイパネルの開発動向 (実用化近づく平面型ディスプレイとその駆動) -- (エレクトロルミネセンス(EL))
- ヘテロフェイス太陽電池の最適設計
- 太陽光発電技術の最近の進歩 (エネルギ-資源の利用と将来展望)
- 太陽光発電の最近の進歩とその技術課題 (環境を考えたエネルギ-と化学)
- アモルファス半導体とその技術応用 (アモルファス材料研究の最先端)
- 光センシング技術の最近の進歩と展望 (進展する光技術材料の開発動向)
- シリコン系太陽電池とその技術の進歩 (電池技術新時代)
- 高効率a-SiC:H/a-Si:Hヘテロ接合太陽電池
- ゲルマニウム基板上のリン化ガリウム層のけい光X線分析