Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
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概要
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溶液処理で清浄化したSi(100)基板を高真空チェンバー内に置き、その表面状態とフッ素雰囲気中に曝したときの表面状態の変化を赤外反射吸収分光法によって観察した。Si(100)基板に対して、buffered HF(BHF)エッチングを行うと、Si-H_2とSiHのピークが見られた。BHF処理は、HF単独での処理よりもSiH_3のピークが減少した。また、Si(111)基板を平坦化する超純水処理は、Si(100)基板に対しては、その効果が見られなかった。水素終端した基板をフッ素処理すると、スペクトルの挙動から、最初にテラスの水素、次いでエッジの部分の水素が離脱すると推測した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-07
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
浜川 圭弘
立命館大学大学院
-
浜川 圭弘
大阪大学基礎工学部
-
浜川 圭弘
大阪大学 基礎工学部
-
奥山 雅則
阪大基礎工
-
栗岡 善昭
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
奥村 勝英
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
奥山 雅則
大阪大学 基礎工学研究科
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