1T型強誘電体メモリ用MFIS構造のRTA処理による記憶保持特性の改善(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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Rapid Thermal Annealing (RTA)を用いたプロセスにより金属-強誘電体-絶縁体-半導体(MFIS)構造のSrBi_2Ta_2O_9 (SBT)強誘電体薄膜の結晶性が改善された. RTA温度及び時間はそれぞれ600℃から1000℃, 30秒から1分の範囲を検討した. XRD解析結果より良好なペロプスカイトSBTの(115)ピークが各々の温度の範囲で観察された.通常炉に比べRTAを用いると,アニール時間を短くするにつれ, 180nm程度のより大きなグレインサイズが得られ,表面のラフネスは5nm程度と小さくなった. MFISダイオードのリーク電流密度は5×10^<-8>A/cm^2以下であり, RTA処理時間を短くすると低電界領域では特に大きく低減された.最後に1000℃,30秒のRTA処理を行ったサンプルにおいて実測値として6×10^5秒(約1週間)の長い記憶保持時間が得られた.データから推測される記憶保持時間は3.3×10^7秒(約1年)であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
野田 実
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
野田 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
高橋 光恵
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
西村 啓二
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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