ZrO_2高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
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概要
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次世代高誘電率ゲート酸化膜として、レーザアブレーションによりHigh-kのZrO_2薄膜を作製した。400℃の製膜において比較的平坦な非結晶薄膜が得られることを確認した。SiO_2換算膜厚(EOT)2.7nmのZrO_2に、ラジカル酸素アニール処理を施すことで蓄積容量の低下なくリーク電流密度を改善でき、1 MV/cm下において約1x10^<-7> A/cm^2を得た。高誘電体/Si界面についてフォトレフレクタンスにより調べたところ、Siの3.4eV付近のスペクトルのシフトを捉えることに成功した。MODで作製したZrO_2によるZrO_2/Si構造においてはSi表面の歪みが小さいことを示唆する結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-01
著者
-
寒川 雅之
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
北井 聡
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
神田 浩文
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
金島 岳
大阪大学
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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