PrO_Xゲート絶縁膜のPLD法による作製
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概要
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次世代High-kゲート絶縁膜材料として期待されているPrO_xの薄膜をレーザーアブレーション法により作製し、その基礎物性評価を行った。界面遷移層の成長を防ぐため、室温において雰囲気ガスの導入なしに製膜を行い、界面層の成長がほとんどないPrO_x薄膜が作製されたが、ヒステリシス、リーク電流が大きかった。アニールによりこれらの特性は改善したが、界面層の成長は防ぐことができなかった。ターゲット基板間にマスクを挿入し製膜を行い、従来の酸素雰囲気中でのPLDと比べ比較的平坦な薄膜の作製に成功した。さらに、基板間距離60mmで製膜を行った薄膜においてもっとも優れた電気的特性が得られており、薄膜の特性にはアブレートされた粒子のエネルギーが関係していることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
寒川 雅之
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
北井 聡
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
神田 浩文
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
金島 岳
大阪大学
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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