F_2表面処理したHfO_2/Ge MIS構造の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている.しかし、C-V特性,リーク電流などの電気的特性は,Si MIS構造と比較して非常に劣っている.そこでF_2処理により界面のダングリングボンドを終端し,電気的特性の改善と,界面準位の低減を試みた.High-k材料としてよく用いられているHfO_2薄膜を光MOCVD法により作製した.F_2処理はHfO_2堆積直前にGe表面へF_2(5%)ガスを曝すことで行った。C-V,J-V特性の測定結果から,F_2処理により電気的特性が改善されることがわかった.さらに,HfO_2/Ge MIS界面準位をDLTSにより評価し,Ge界面のバンドギャップ中の準位を求めた.その結果,F_2処理によりバンドギャップ全体にわたり,界面準位が低減するということがわかり,F_2処理が界面準位を低減することが示された.
2008-11-28

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