レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性
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概要
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レーザーアブレーション(Pulsed Laser Deposition(PLD))法によりSr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7(STN)強誘電体薄膜を作製しその電気的特性を評価した。組成比(X=0.2, 0.3)において基板温度600℃で結晶化し、特にN_2Oガスを雰囲気ガスに用いたとき比較的強い(110), (151), (172)配向のSTN薄膜が得られた。D-Eヒシテリシスは、x=0.3のとき残留分極Pr=0.4μC/cm~2、抗電界Ec=30kV/cmの対称性の良いものであり、10~<10>回の分極印加をしてもPrに変化は見られなかった。比誘電率は70である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-09
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
野田 実
大阪大学基礎工学研究科
-
杉山 秀樹
大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座
-
中磯 俊幸
大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座
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