界面伝導電流を用いた強誘電体ゲートFETメモリの考案(新型不揮発性メモリー)
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概要
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界面に発生するとされる伝導機構を用いてゲートFETメモリの創成、試作を行った。ドレイン電流は通常のmetal-ferroelectric-insulator-semiconductor-FET(MFIS-FET)と同様のドレイン電流-ゲート電圧特性を示した。この構造においてSi基板中のチャネル領域を使用しないため、あらゆる材料を基板に用いる事が可能と思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-10
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
野田 実
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
野田 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
廣岡 玄
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻
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