強誘電体ゲート電界効果トランジスタメモリーのための強誘電体-絶縁体-半導体構造 : メモリー保持特性の解析と改善
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概要
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
野田 実
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
野田 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
高橋 光恵
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
児玉 一志
大阪大学大学院基礎工学研究科
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