奥山 雅則 | 大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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概要
関連著者
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奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
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金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
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金島 岳
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野田 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野田 実
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
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寒川 雅之
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山下 馨
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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山下 馨
大阪大学大学院基礎工学研究科
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奥山 雅則
阪大基礎工
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金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻
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奥山 雅則
大阪大学 基礎工学研究科
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井上 幸二
大阪府立産業技術総合研究所
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村上 修一
大阪府立産業技術総合研究所 材料技術部
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藤本 晶
和歌山工業高等専門学校
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藤本 晶
和歌山工高専
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村上 英之
大阪大学大学院基礎工学研究科
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奥山 雅則
大阪大学基礎工学部電気工学科
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村上 修一
大阪府立産業技術総合研究所
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チャンソムプー ラパサミサイ
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野間 春生
国際電気通信基礎技術研究所
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鈴木 義彦
大阪府立産業技術総合研究所
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鈴木 義彦
大阪府立産業技術総合研究所 材料技術部
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鈴木 義彦
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ大阪
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北井 聡
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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佐々木 善伸
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
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江利口 浩二
松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター
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池田 幸司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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神田 浩文
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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奥山 雅則
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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ポポビッチ ダニエル
大阪大学 大学院基礎工学研究科
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高橋 光恵
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社
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ポポビッチ ダニエル
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山添 大丈
ATR知能ロボティクス研究所
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水戸 和
国際電気通信基礎技術研究所
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山添 大丈
国際電気通信基礎技術研究所
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吉田 俊介
国際電気通信基礎技術研究所
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多田 昌裕
国際電気通信基礎技術研究所
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野間 春生
ATR
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田中 恒久
大阪府立産業技術総合研究所
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高松 繁男
日立造船株式会社 技術本部 技術研究所
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多田 泰三
大阪大学大学院基礎工学研究科電子光科学領域
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多田 昌裕
ATR知能ロボティクス研究所
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野間 春生
(株)国際電気通信基礎技術研究所知能ロボティクス研究所
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江利口 浩二
松下電器産業(株)
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阿形 眞司
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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野村 哲男
立命館大学大学院
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杉山 秀樹
大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座
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宮本 哲雄
平成13年度客員研究員:(現)日本電子株式会社
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多田 泰三
大阪大学大学院基礎工学研究科
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多田 昌裕
Atr知能ロボティクス研
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杉山 秀樹
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
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児玉 一志
大阪大学大学院基礎工学研究科
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和田 秀夫
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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毎田 修
大阪大学
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多田 昌裕
(株)国際電気通信基礎技術研究所知能ロボティクス研究所
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野間 春生
国際電気通信基礎技術研
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多田 昌裕
ATR知能ロボティクス研究科
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青柳 誠司
関西大学工学部
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大橋 治彦
(財)高輝度光科学研究センター
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美馬 達也
大阪大学基礎工学研究科
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西原 功修
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター:(株)浜松ホトニクス:(有)キャトルアイ・サイエンス
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吉田 俊介
Atrメディア情報科学研究所
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莫 要武
セイコーエプソン(株)
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土谷 明
大阪府立産業技術総合研究所
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有田 滋
大阪府立産業技術総合研究所
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莫 要武
大阪府立産業技術総合研究所
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有田 滋
(財)大阪産業振興機構
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北野 智子
日立造船株式会社
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木下 正生
日立造船株式会社
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津森 正樹
大阪大学大学院基礎工学研究科電子光科学領域
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高馬 悟覚
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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毎田 修
大阪大学産業科学研究所セラミック機能材料分野
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奥本 雅規
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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上野 正人
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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大橋 治彦
高輝度光科学研究センター放射光研究所
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弓達 新治
大阪大学
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吉田 真人
大阪大学基礎工学研究科電子光科学領域
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宇野 真由美
大阪府立産業技術総合研究所
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山下 馨
京都工芸繊維大学
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李 昇穆
Ingen MSL
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野間 春生
株式会社国際電気通信基礎技術研究所
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吉田 真人
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
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毎田 修
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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青柳 誠司
関西大学システム理工学部機械工学科
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野田 実
京都工芸繊維大学
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村上 修一
材料技術部電子デバイスグループ
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宮本 哲雄
平成13年度客員研究員
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井上 幸二
材料技術部電子デバイスグループ
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宮本 哲雄
大阪府立産業技術総合研究所
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濱川 圭弘
立命館大学大学院
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浜川 圭弘
立命館大学大学院
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濱川 圭弘
大阪大学
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李 昇穆
大阪府立産業技術総合研究所
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今庄 秀人
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
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LEE Hyun
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
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LEE Dong-Hun
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
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吉岡 祐一
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
RICINSCHI Dan
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
濱川 圭弘
立命館大学
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西村 啓二
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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青柳 誠司
金沢大学工学部
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鈴木 義彦
独立行政法人国立病院機構東京医療センター薬剤科
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平川 雅一
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
廣岡 玄
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻
-
岡田 則男
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
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高馬 悟覚
大阪大学
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弓達 新治
大阪大学レーザー核融合研究センター
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美馬 達也
大阪大学大学院基礎工学研究科
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西原 功修
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
著作論文
- 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法(感性情報処理とマルチメディア技術および一般)
- Hf(O-t-C_4H_9)_4を用いた光アシストMOCVDによるHfO_2薄膜の作製と評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 超音波マイクロアレイセンサ用加算機能付きBBDの開発
- PZT圧電体膜を用いた異常音検知マイクロセンサの作製とその評価
- PZT膜を用いた特定音波検知マイクロセンサの作製とその特性
- 軟X線アブレーションによるPTFE低誘電率膜の作製
- MEMS技術を用いた次世代ロボット用多軸触覚センサの作製(センサーデバイス,MEMS,一般)
- HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ESRによるHfO_2薄膜の欠陥評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- PLDにより製膜したHf酸化物の界面評価(半導体Si及び関連材料・評価)
- High-k PrOχゲート絶縁膜の電気的・光学的特性
- PrO_Xゲート絶縁膜のPLD法による作製
- ZrO_2高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
- フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 誘電ボロメータ型赤外線センサアレイ駆動方式の考察
- 誘電ボロメータ型赤外線センサの開発
- BaTi_Sn_xO_3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製と基礎特性
- フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロアレイセンサの特性改善
- SnO_2ガスセンサによる臭い識別の検討(半導体エレクトロニクス)
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- Sr_Bi_Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性
- Sr_1-XBi_, Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- 誘電体薄膜研究の最近の進歩
- 25pYJ-2 ピコメータで制御されたBiFeO_3格子の巨大分極(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 実践的研究教育としてのインターンシップの取り組み
- 21pYN-5 マルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と評価(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜を用いた電子デバイス
- TC-3-7 水素およびアルコールのSnO_2(001)および(100)表面上吸着の分子軌道解析
- 強誘電体薄膜研究の最近の展開
- 強誘電体薄膜の分極反転ダイナミクス : 格子モデルを用いた分極反転機構の現象論的解析
- 1T型強誘電体メモリ用MFIS構造のRTA処理による記憶保持特性の改善(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体ゲート電界効果トランジスタメモリーのための強誘電体-絶縁体-半導体構造 : メモリー保持特性の解析と改善
- MFISおよびMIFIS構造のメモリ保持特性の解析
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 圧電薄膜を用いた超音波マイクロアレイセンサと共振周波数チューニング(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 表面窒化SiO_2バッファ層を有するMFIS構造(新型不揮発性メモリ)
- ゾル-ゲル-水熱処理法による機能性酸化物薄膜の低温作製 : 高集積センサ・アクチュエータ, メモリ用Si ULSIモノリシックプロセスへの展開
- 界面伝導電流を用いた強誘電体ゲートFETメモリの考案(新型不揮発性メモリー)
- 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価
- プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価
- 水素終端Si(111)表面の大気中初期酸化のAFM観察とその分子軌道解析
- マイクロカンチレバー型触覚センサアレイによる把持状態の識別手法
- センサから情報処理まで
- センシング分野における有機材料への期待