江利口 浩二 | 松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター

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概要

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関連著者

• 江利口 浩二

  松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター

• 藤本 晶

  和歌山工業高等専門学校

• 藤本 晶

  和歌山工高専

• 金島 岳

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 奥山 雅則

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 江利口 浩二

  松下電器産業(株)

• 金島 岳

  大阪大学

• 奥山 雅則

  大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 江利口 浩二

  松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

• 阿形 眞司

  大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座

• 山田 隆順

  松下電子工業株式会社半導体社プロセス開発センター

• 和田 秀夫

  大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座

• 山田 隆順

  松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

• 寒川 雅之

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 奥山 雅則

  大阪大学基礎工学研究科

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株)

• 丹羽 正昭

  松下電器産業(株) 中央研究所

• 毎田 修

  大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座

• 原田 佳尚

  松下電子工業(株) プロセス開発センター

• 丹羽 正昭

  松下電子工業(株) プロセス開発センター

• 原田 佳尚

  松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

• 森脇 將

  松下電子工業(株)半導体社プロセス開発センター

• 橋本 由紀子

  松下電子工業(株)

• 今井 崇明

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• 江頭 恭子

  松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター

• 橋本 伸

  松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター

• 毎田 修

  大阪大学

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著作論文

• フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 反応性スパッタリング法によるメタルゲート電極形成技術
• プラズマチャージングダメージによるゲート酸化膜信頼性劣化
• Hg/n-Si界面の電子トラップサイト密度測定によるプラズマ誘起Si損傷定量評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価
• プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価
• 極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価

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