Hg/n-Si界面の電子トラップサイト密度測定によるプラズマ誘起Si損傷定量評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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ドライエッチングによるプラズマ誘起Si損傷はコンタクト抵抗の劣化などをもたらすため、その挙動の把握はULSIの微細化・高信頼化のために重要である。プラズマ誘起損傷を有するn-Si基板表面に薄い酸化膜をリモートプラズマにより低温形成し、その表面からHg電極を用いて定電流注入すると表面損傷量に応じた電圧変動量を得ることを見出した。本稿ではこの定電流ストレス下での電圧変動(VSCCI : Voltage Shift under Constant Current Injection)による電子トラップサイト密度の測定原理と、VSCCIにより得られるプラズマ誘起Si損傷の深さ分布とその形成要因について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
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