極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価
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概要
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電界変調分光法の一種であるフォトレフレクタンス(PR)分光法を用いて,不純物注入プロセスやプラズマプロセスを経たSi基板に対するPRスペクトルの変化を,ラマンスペクトルと併せて観測した.Asを注入するとSi表面の結晶構造に乱れを生じ,PR信号強度は減少する.また,酸素プラズマプロセスによってもPR信号強度は減少した.これは,基板表面近傍に格子欠陥や局在準位が生成され,表面電界変調の効果を減少させるためと考えられる.また,極薄酸化膜への高電界ストレス印加によるPR信号強度の減少が観測された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-05
著者
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
藤本 晶
和歌山工業高等専門学校
-
江利口 浩二
松下電子工業 (株) 半導体社プロセス開発センター
-
江利口 浩二
松下電器産業(株)
-
藤本 晶
和歌山工高専
-
今井 崇明
大阪大学基礎工学部電気工学科
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