フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
熱酸化、自然酸化膜を有した超薄膜SiO_2/Si試料に対して、Siの表面ポテンシャルや界面の歪みを、非破壊、非接触であるフォトレフレクタンス(PR)分光法を用いて評価を行った。Si表面ポテンシャルはPR信号強度の変調光強度依存性から求められ、熱酸化膜形成に伴いその値は減少した。酸化膜厚増大に伴って信号強度は減少するが、Si-SiO_2界面へのバイアス電圧印加によって、信号強度の増大が可能となった。また、室温における自然酸化膜の形成、熱酸化に伴うPRスペクトルの変化、すなわち遷移エネルギーの変化から、Si-SiO_2界面の歪みに関する情報も得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-07
著者
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
藤本 晶
和歌山工業高等専門学校
-
浜川 圭弘
立命館大学大学院
-
浜川 圭弘
大阪大学基礎工学部
-
浜川 圭弘
大阪大学 基礎工学部
-
藤本 晶
和歌山工高専
-
今井 崇明
大阪大学基礎工学部電気工学科
関連論文
- 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法(感性情報処理とマルチメディア技術および一般)
- Acoustic damping effect on capacitive micromachined ultrasonic transducer (応用音響)
- 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性
- 4p-N-4 GaSeのElectro-reflactance VI
- MEMS技術を用いた次世代ロボット用多軸触覚センサの作製(センサーデバイス,MEMS,一般)
- NiCr薄膜歪みゲージによるポリマー/Siカンチレバー型多軸触覚センサの高分解能化
- 適度な傾斜形状を有するCr/Siマイクロカンチレバー構造を用いた多軸触覚センサの作製と評価
- Stability Improvement of Tactile Sensor of Normal and Shear Stresses Using Ni-Cr Thin Film Gauge
- 種々のヒーター入力時のガスセンサの過渡応答
- PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- フォトレフレクタンス分光法によるゲート酸化膜に導入されたチャージングダメージの光学的評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性
- BaTiO_3およびPbTiO_3の自発分極の結晶異方性と単位胞体積依存性の第一原理解析(半導体エレクトロニクス)
- 漏れ電流マイクロセンサを用いた電解質封入リポソーム・タンパク質間相互作用センシング
- 太陽電池の夢を追って
- Photo I-V法によるMOS構造SiO_2薄膜中の欠陥の評価
- 4222 パリレンを用いた静電容量型マイクロ超音波センサの開発(J24-2 生産機械のマイクロ化(2))
- フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロアレイセンサの特性改善
- フッ素系樹脂を用いた超音波マイクロセンサの特性改善
- 静電型超音波トランスデューサでのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 静電型超音波トランスデューサのダンピング効果(音声,応用音響,一般,音声,応用/電気音響,信号処理,及び一般)
- 集積化触覚センサ用NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数の低減
- SnO_2ガスセンサによる臭い識別の検討(半導体エレクトロニクス)
- 構造的応力制御によるSiO_2ダイアフラム上圧電型超音波マイクロセンサの感度変化
- 1-10P-57 パリレンを用いた送受兼用可能なアレイ型マイクロ超音波センサ(ポスターセッション 1)
- 形を感じる : 超音波マイクロアレイセンサ
- 共振周波数の異なる超音波マイクロセンサによるフェイズドアレイを用いた物体位置計測
- レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性
- レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- 第2回日韓強誘電体会議
- セラミックスの評価法-4-(1)薄膜の配向性・欠陥及び基板(セラミックス基礎工学講座)
- 高輝度放射光SPring-8における半導体材料プロセス研究への期待
- 25pYJ-2 ピコメータで制御されたBiFeO_3格子の巨大分極(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 実践的研究教育としてのインターンシップの取り組み
- 21pYN-5 マルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と評価(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜を用いた電子デバイス
- Superconducting Applications of Niobium, O.N.Carlson(編), 1988年, Elsevier Applied Science Pub.発行, 24.8×17cm, 202ページ, £45
- 第1回ヨーロッパ極性誘電対応用会議/国際強誘電体応用シンポジウムに出席して
- Ion Beam Modification of Insulators, Paolo Mazzoldi and George W. Arnold (編), 1987年, Elsevier Science Pub. 発行, 245×165 mm, 740ページ, Dfl 350
- 1987年, North-Holland社発行, A5判, 412ページ, Dfl.220(疲労特集)
- レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO_2薄膜の作製とその評価
- TC-3-7 水素およびアルコールのSnO_2(001)および(100)表面上吸着の分子軌道解析
- 9-209 高専-枝科大連携による技能を持った技術者の育成 : 高専専攻科と技科大の融合による一貫教育の実現へ((22)高大院連携,口頭発表論文)
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 分子軌道法を用いた光CVD SiO_2膜中欠陥構造の評価
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出
- 強誘電体PZTセラミックからの電界電子放出
- フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
- 29p-N-2 鉛含有ペロブスカイト薄膜の作製と評価
- 強誘電体メモリ
- 機能性強誘電体薄膜とその応用
- 透明強誘電体薄膜とその電子デバイスへの応用 (1989年の化学-4-)
- 超音波センサ (センサ技術特集)
- C-5 Si基板上に作製したPbTiO_3薄膜マイクロ超音波センサ(超音波の発生・検出)
- チタン酸鉛薄膜を用いた超音波センサと赤外線センサ (センシングデバイス開発のための新センサ素子)
- 平坦性の異なるSi(111)表面のフォトレフレクタンス評価
- プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価
- 極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価
- 高専卒が再び輝くために : 今高専関係者が尽力すべき事(高専教育への私の提言)
- SrBi_2Ta_2O_9膜とPZT膜の低温作製と機能性デバイス
- 波長可変フィルタを用いた微分スペクトルイメージセンサ
- 強誘電体薄膜の最近の展開
- PMN-PTセラミックからのパルス電界誘起電子放出
- 酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用
- 強誘電体薄膜とセンサ
- 強誘電体メモリー
- マイクロ波励起光源の開発
- フォトレフレクタンス分光法の高感度化に関する研究
- フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
- 強誘電体薄膜とセンサ開発
- Fabrication and Normal/Shear Stress Responses of Tactile Sensors of Polymer/Si Cantilevers Embedded in PDMS and Urethane Gel Elastomers
- 表面損傷を有するSiウエハの反射分光法による評価
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時のSi表面の評価
- 水素および種々のアルコールに対するガスセンサの応答特性
- 半導体ガスセンサの過渡応答モデルの構築
- 高専卒が再び輝くために : 今高専関係者が尽力すべき事(高専教育への私の提言)
- 高専生の『売り頃』(高専教育への私の提言)
- 3p-M-9 異方性結晶におけるModulated Spectra
- 11a-H-4 Energy Parameter Modulation Spectraの相互関係
- 3p-H-12 2次元Electro-optical効果におけるbroadening
- 15a-A-5 Electro-optical効果におけるBroadening
- Electro-optical効果における電場及び温度Broadening : 半導体 (化合物, その他)
- 低温におけるGeのElectro-reflectance(II) : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 「モデル昇進・昇格」の公表で,高専生が安心して就職できる環境を!!(高専教育への私の提言)
- 半導体ガスセンサの過渡応答への活性化エネルギーの影響
- 専攻科にも明確な『理念』が求められる(高専教育への私の提言)
- 半導体ガスセンサの過渡応答への活性化エネルギーの影響
- 「企業実践講座」, 「プチ・インターンシップ」等を通した地元に貢献する技術者養成
- 専攻科の発展に期待する : 解決すべき課題と将来への展望(高専制度50周年特集シリーズ-専攻科の軌跡と将来展望-)
- 低学年の定員を高学年に! : きめ細かな対応を更に進めるために(高専教育への私の提言)
- 5-218 高専電気系学科における専門学科教員による低学年からの数学授業(オーガナイズドセッション:大学全入時代の工学教育-II,口頭発表)
- 教育系大学との協力で志願者増と地域振興を!(高専教育への私の提言)