レーザーアブレーション法による高誘電率ZrO_2薄膜の作製とその評価
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概要
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次世代High-kゲート絶縁膜材料として期待されているZrO_2の薄膜をレーザーアブレーション(Pulsed Laser Deposition(PLD))法により作製し、その基礎物性評価を行った.そのZrO_2薄膜を用いて作製したMIS構造の電気的特性評価を行った.製膜時基板温度400℃において, SiO_2換算膜厚(EOT)2.7nmの均質なアモルファス薄膜が得られた.また得られた薄膜に対し酸素雰囲気中におけるポストアニール, およびラジカル源を用いた酸素ラジカルポストアニールを行い膜質の改善を試みた.酸素アニールはEOTを増加させる傾向があることを確認し, 基板温度400℃でラジカル酸素アニールを施した試料は, as-depo膜のEOTから殆ど増加することなく, ゲート電圧V_g=-1Vにおけるリーク電流密度は約1x10^<-7>A/cm^2にまで低減した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学基礎工学研究科
-
毎田 修
大阪大学産業科学研究所セラミック機能材料分野
-
上野 正人
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
北井 聡
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座
-
金島 岳
大阪大学
-
上野 正人
大阪大学基礎工学研究科物理系機能材料デバイス講座
-
北井 聡
大阪大学基礎工学研究科物理系機能材料デバイス講座
-
毎田 修
大阪大学
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