ゾル-ゲル-水熱処理法による機能性酸化物薄膜の低温作製 : 高集積センサ・アクチュエータ, メモリ用Si ULSIモノリシックプロセスへの展開
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概要
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A very low-temperature process for preparation of functional oxide thin films is newly proposed and examined by sol-gel-hydrothermal combined treatment. A series of oxide ferroelectric thin films have been prepared by the method in various mineralizer, alkaline solutions. Especially PZT film grown in KOH+Pb(OH)2 solution at final post-baking temperature as low as 400°C, showed a well-saturated, good P-E hysteresis loop with Pr=26.3μC/cm2 and Ec=40.1 kV/cm, respectively.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2004-06-01
著者
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
野田 実
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
野田 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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