HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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我々はGe表面へのF_2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが,ゲート絶縁膜を堆積した後,アニール処理をすることでF_2処理の効果が小さくなるという問題があった.そこで,F_2処理の効果を高めるために,堆積後,窒素ラジカル処理を行った.実験方法は,High-kゲート絶縁膜としてよく用いられているHfO_2薄膜を光MOCVD法により作製した.F_2処理はHfO_2堆積直前にGe表面へF_2(5%)ガスを曝すことで行った.窒素ラジカル処理はRF励起プラズマからイオンを取り除く事で行った.C-V,J-V特性の測定結果から,F_2処理に窒素ラジカル処理を追加する事により更なる電気的特性の改善がみられた.さらに,HfO_2/Ge MIS界面準位をDLTSにより評価した.その結果,窒素ラジカル処理により更なるバンドギャップ中の界面準位の低減が示され,有効である事が分かった.
- 2009-06-12
著者
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
奥山 雅則
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
金島 岳
大阪大学
-
今庄 秀人
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
LEE Hyun
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
LEE Dong-Hun
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
吉岡 祐一
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
奥山 雅則
大阪大学大学院 基礎工学研究科 ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
奥山 雅則
阪大基礎工
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻
-
奥山 雅則
大阪大学 基礎工学研究科
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