分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Siより高い移動度を持つGeは高性能メモリデバイスになる次世代半導体材料として注目されている。しかし、Geは界面準位が多く、Siの様にHで表面を安定化することが困難になる問題がある。この問題を解決するために、Ge表面ダンクリングボンドを終端化する研究が様々なところで行っている。そこで、我々はGe表面終端化について理論的な解析を行った。半経験分子軌道法によるMOPAC2009プログラムを用いて、Ge(100)表面と43種類の元素との反応性を考察することで、水素よりGe表面ダンクリングボンドを終端しやすい新材料を探した。その計算結果、B、N、Co、H、Cl、Br、FはGe表面上約2Å付近で表面ダンクリングボンドを終端させ、Ge(100)表面が安定な表面構造を保ちながら、エネルギー的にも安定になった。特に、F(フッ素)とB(ホウ素)は水素より表面との反応性が高くて、Ge表面安定化処理材料として、可能性が高いと考えられる。
- 2010-06-15
著者
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
LEE DongHun
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創造専攻電子光学科
-
奥山 雅則
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
-
金島 岳
大阪大学
-
金島 岳
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創造専攻電子光学科
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