PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
High-kゲート絶縁膜としてが注目されているHfO_2膜の非接触測定フォトレフレクタンス(PRS)スペクトル強度を膜中電荷に対応づけ,種々の評価と比較検討された.フォトレフレクタンススペクトル強度はSi表面電界に比例するため,膜中に正の電荷が存在すると強度が減少することから膜中の電荷を評価することができる.使用したHfO_2膜はPulsed laser deposition(PLD)法によりSi基板上に酸素,窒素及びその混合ガス中で作製した.窒素中で作製したものは酸素雰囲気中で作製したものよりも多くの正電荷を含むと思われる.またArFエキシマレーザを照射することで正電荷が増加し,これは酸素が抜けたとに対応すると考えられる.また,raoid thermal annealing(RTA)による変化を調べたところ,600℃以上ではPRS信号強度が大きくなることが見られ,膜中電荷が減少したことを示している.
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-12-09

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク